描述：MGFS37G38L2，GAN HEMT與N-通道Schottkygate，是為S-band基站發(fā)射臺設計的。
高電壓操作：VDS=50V=
高輸出功率（Type.）@PSAT，F(xiàn)=3.5GHZ，
Single Path=High
Efficiency：60%（）@PSAT，F(xiàn)=3.5GHZ，
Single Path=High Gain：18DB（）@F=3.5GHZ
適用于S波段基站的放大器推薦偏壓條件

與硅產(chǎn)品相比，GaN和GaAs基FET是對靜電放電（ESD）更敏感的產(chǎn)品。應用ESD可能導致產(chǎn)品故障。請小心處理產(chǎn)品，采取防靜電措施，如腕帶、接地臺/地板、電離器等。
MGFS37G38L2規(guī)格書下載：   mgfs37g38l2_v05.pdf
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